삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.
20일서울채권시장과연합인포맥스에따르면외국인은지난13일부터전일까지5거래일간3년국채선물을6만8천785계약순매도했다.이기간내내연속으로순매도흐름을보였다.
두지수는간밤뉴욕증시강세에힘입어이날장중계속해상승세를보였다.
이날하락으로10년물금리는나흘연속하락세를이어가고있다.
앞서마이크론은올해2분기출시예정인엔비디아의H200에탑재될HBM3E를양산한다고밝힌바있으나,실제납품으로이어진것은SK하이닉스가처음으로알려졌다.
▲나스닥지수16,369.41(+202.62p)