(서울=연합인포맥스)문정현기자=유럽증시는미국연방준비제도(연준·Fed)금리인하기대감에동반상승했다.
SK하이닉스의이러한선제공격에,삼성전자는업계최초로D램칩을12단까지쌓은HBM3E실물을GTC에서전시했다.
이날국채금리하락은이같은금리상승세에대한반발매매가나왔기때문으로보인다.FOMC결과를앞두고한발먼저채권을담겠다는뜻이다.
팩트셋의설문조사에참여한애널리스트들은나이키가122억8천만달러의매출에75센트의조정주당순이익을기록할것으로예상해이보다웃돈수준인셈이다.
삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.
▲감사총괄(전무)박연화(서울=연합인포맥스)
30년물국채금리는전장보다3.90bp내린4.417%에거래됐다.
한편시장조사업체트렌드포스는전체D램매출에서HBM의비중이지난해8.4%,올해는20.1%까지상승할것으로예상했다.